【簡介：】中國的光刻技術和荷蘭ASML的EUV光刻技術，關鍵點的區(qū)別在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。
一、中國光刻技術采用193nm深紫外光源，荷蘭ASML的EUV采用13.5nm極紫外光源。

中國的光刻技術和荷蘭ASML的EUV光刻技術，關鍵點的區(qū)別在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。

一、中國光刻技術采用193nm深紫外光源，荷蘭ASML的EUV采用13.5nm極紫外光源。

光刻是制程芯片最關鍵技術，制程芯片過程幾乎離不開光刻技術。但光刻技術的核心是光源，光源的波長決定了光刻技術的工藝能力。

我國光刻技術采用193nm波長的深紫外光源，即將準分子深紫外光源的波長縮小到ArF的193nm。它可實現(xiàn)最高工藝節(jié)點是65nm，如采用浸入式技術可將光源縮小至134nm。為提高分辨率采取NA相移掩模技術還可推進到28nm。

到了28nm以后、由于單次曝光的圖形間距無法進一步提升，所以廣泛使用多次曝光和刻蝕的方法來求得更致密的電子線路圖形。

荷蘭ASML的EUV光刻技術，采用是美國研發(fā)提供的13.5nm極紫外光源為工作波長的投影光刻技術。是用準分子激光照射在錫等靶材上激發(fā)出13.5nm光子作為光刻技術的光源。

極紫外光源是傳統(tǒng)光刻技術向更短波長的合理延伸，被行業(yè)賦予了拯救摩爾定律的使命。

當今的ASML的EUV光刻技術，巳能用13.5nm極紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片。而我國還是采用193nm深紫外源光刻技術，如上海微電子28nm工藝即是如此。

雖然我們采用DUV光刻技術通過多重曝光和刻蝕方法提升制程工藝，但成本巨大、良率較低、難以商業(yè)化量產(chǎn)。所以光源的不同導致光刻技術的重大區(qū)別。

二、在光刻技術的光源能量精準控制上，我國光刻技術與荷蘭的EUV也有重大區(qū)別。

光刻技術的光學系統(tǒng)極其復雜，要減小誤差達到高精度要求，光源的計量和控制非常重要。它可通過透鏡曝光的補償參數(shù)決定光刻的分辨率和套刻精度。

光刻技術的分辨率代表能清晰投影最小圖像的能力，和光源波長有著密切關係。在光源波長不變情況下，NA數(shù)值孔徑大小直接決定光刻技術的分辨率和工藝節(jié)點。

我國在精密加工透鏡技術上無法與ASML采用的德國蔡司鏡頭相比，所以光刻技術分辨率難以大幅提高。

套刻精度是光刻技術非常重要的技術指標，是指前后兩道工序、不同鏡頭之間彼此圖形對準精度。如果對準偏差、圖形就產(chǎn)生誤差，產(chǎn)品良率就小。

所以需不斷調整透鏡曝光補償參數(shù)和光源計量進行控制，達到滿意的光刻效果。我國除缺少精密加工透鏡的技術外，在光源控制、透鏡曝光參數(shù)調整上也是缺乏相關技術的。

我國在5G時代、大數(shù)據(jù)和人工智能都要用到高端芯片，離不開頂尖的光刻技術，這是必須要攀登的“高峰”。相信我國刻苦研發(fā)后能掌握先進的光刻技術和設備，制程生產(chǎn)自己所需的各種高端芯片。

一、體現(xiàn)在表像的是精度

說起光刻機，大家喜歡和芯片制造對應起來，比如制造7nm芯片的光刻機，制造14nm的光刻機等等。

目前中國最強的量產(chǎn)的光刻機是用于90nm的芯片的制造，而ASML量產(chǎn)的用于5nm芯片的制造的，這中間有多少差距，可能一般人還不太清楚。

用時間來說，起碼10年，如果用繼續(xù)用芯片制造的精度來看，中間有65nm，45nm，32nm，22nm，14nm，10nm，7nm，5nm。多少代，大家一年就清楚了，這可是實打實的差距。

二、實際是裝配工藝、經(jīng)驗、人才的差距

而在相差這么遠的背后，究竟差的是什么？其實是裝配工藝、人才、經(jīng)驗的差距。

網(wǎng)上曾流傳一句說，ASML說就算公開圖紙，別人也造不出一樣的光刻機出來，這句話背后的底氣在哪里？

1、裝配工藝，光刻機中裝配是非常重要的，說得不好聽一點，就是組裝技術，ASML的原件99%也是采購的，但只有它能夠裝配得這么好，別人都不行。

2、而裝配工藝的差距，就是人才、經(jīng)驗的差距，只有好的人才、幾十的經(jīng)驗，才能夠讓裝配工藝提高，達到真正的頂級水平。